Elektrik mühəndisliyi professoru Philip Wong-un rəhbərlik etdiyi tədqiqat qrupu, GPU-larda istifadə edilən SRAM əsaslı keş yaddaşlarının, nisbətən yavaş DRAM-dən məlumat yükləməli olduqda yaranan "yaddaş divarı problemi" olduğunu vurğulayır. Bu keçidin çox vaxt və enerji sərf etdiyi bildirilir və ənənəvi SRAM-lə müqayisədə daha yaxşı performans xüsusiyyətlərinə malik bir texnologiyanın inkişaf etdirilməsinin zəruriliyi qeyd olunur.

     Müasir çiplərdə SRAM, böyük yer tutması və 1 bitlik məlumatı saxlamaq üçün 4 tranzistor tələb etməsi səbəbindən tutum baxımından məhdudlaşdırıcı amilə çevrilir. Buna qarşı olaraq DRAM eyni işi yalnız 1 tranzistor və əlavə komponentlərlə yerinə yetirə bilir. Lakin DRAM, saxlanılan məlumatların davamlı olaraq yenilənməsini tələb edən mənfi cəhətlərlə üzləşir.

     Hibrit qazanc hüceyrə yaddaşı (HGCM - hybrid gain cell memory) texnologiyası, hər 2 yaddaş növünün ən yaxşı xüsusiyyətlərini bir həllə birləşdirməyi hədəfləyir. Yeni texnologiyanın ən əhəmiyyətli xüsusiyyəti, məlumatları saxlamaq üçün ayrı oxuma və yazma tranzistorlarına malik olması və DRAM-in işləməsi üçün tələb olunan əlavə kondensator ehtiyacını aradan qaldırmasıdır. Wong-un komandası, yazma tranzistoru üçün indium qalay oksidi (ALD ITO), oxuma tranzistoru üçün isə silikon PMOS istifadə edir. Bu həll, 2 silikon oksid əsaslı tranzistordan daha yüksək performanslı bir seçim olaraq ön plana çıxır.

     Yeni yaddaş texnologiyası performans baxımından da iddialıdır. Testlərdə bu texnologiya ilə işləyən cihazın məlumatları 1 saatdan çox müddət ərzində saxladığı müşahidə olunub. DRAM-in hər 64 millisaniyədə bir yenilənmə ehtiyacı olduğu nəzərə alındıqda, bu, böyük bir fərq yaradır. Həmçinin məlumatlar DRAM-dən 50 dəfə daha sürətlə oxuna bilir, giriş vaxtları isə 1 ilə 10 nanosaniyə arasında dəyişir.

     Bununla belə, bu yüksək performans xüsusiyyətləri hər zaman real dünyada daha yaxşı nəticələrə çevrilmir. Tədqiqat qrupu, bəzi hallarda HGCM texnologiyasının SRAM-dən daha yavaş ola biləcəyini, xüsusilə daha yüksək məlumat sıxlığına malik konfiqurasiyalarda bu yavaşlığın müşahidə oluna biləcəyini qeyd edir. Hər nə olursa olsun, HGCM texnologiyasının ən əsas üstünlüyü aşağı səviyyəli keş yaddaşlar üçün çox vacib olan daha yüksək saxlama tutumu təklif etməsidir. Daha böyük keş yaddaşları, CPU və ya GPU-nun sistem DRAM-dən məlumat ötürmə müddətini qısaldaraq performansı və gecikmə müddətini yaxşılaşdıra bilər. Əslində, bu prinsip AMD-nin 3D V-Cache texnologiyasının əsasını təşkil edir.