Belə ki, şirkət 512 GB-lıq Universal Flash Storage (eUFS) adlı daxili yaddaş çiplərinin istehsalına başladığını bildirmişdi. Bu cür həcmə sahib eUFS tipli yaddaş çipi ilk dəfədir ki, istehsal olunur və şirkət bildirmişdi ki, o bu yaddaş həcmini öz yeni nəsil smartfon və planşetlərində istifadə etməyi planlaşdırır. Çox güman ki söhbət Galaxy S9-dan gedir. Şirkət qeyd edib ki, o, 512 GB həcmə 64 laylıq 8 ədəd V-NAND çipini və ölçü baxımından 256 GB-lıq eUFS ölçüsünə sahib yeni eUFS korpusuna kontrolleri yerləşdirə bilib.

Beləliklə məlumatın oxunuş və yazılış sürəti saniyədə 860 Mbit və 256 Mbit təşkil edir. Bu isə öz növbəsində 5 GB-lıq faylı 6 saniyəyə yazmağa imkan verir. Bu cür göstərici adi microSD kart ilə müqayisədə 8 dəfə sürətlidir. 512 GB-lıq eUFS yaddaş həcmi flaqman smartfona, özündə hər biri 10 dəqiqə olmaqla 130 ədəd 4K video saxlamağa imkan verəcək. Bu isə 64 GB yaddaş həcminin saxlaya biləcəyindən 10 dəfə çoxdur. Şirkət mütəmadi olaraq öz yeni 512 GB-lıq mikrosxemlərinin istehsalatını böyütməyi və 256 GB-lıq çiplərin istehsalatını genişləndirməyi planlaşdırır.