Elektrik və Elektronika Mühəndisləri İnstitutu (IEEE), yarımkeçirici istehsal texnologiyasının 2037-ci ilə qədər 12 nm tranzistor uzunluğu ilə təxminən 0.5 nm-ə çatacağını proqnozlaşdırsa da, IBS tədqiqatçıları, 1D MTB (mirror twin boundary) qapısının 3.9 nm-ə qədər kiçilə biləcəyini iddia edirlər.

     Tədqiqatçılar bildirirlər ki, 1D MTB metal fazası, mövcud 2D yarımkeçiricinin kristal quruluşunu atom səviyyəsində idarə edərək onu 1D MTB-yə çevirməklə əldə edilib. Bunun həm materialşünaslıq, həm də yarımkeçirici texnologiyası baxımından əhəmiyyətli bir irəliləyiş olduğu bildirilir. Bundan əlavə, bildirilir ki, materialların sintezi üçün kristal strukturları süni şəkildə idarə etmək bu tərəqqinin açarıdır.

     1D MTB əsaslı tranzistorlar, FinFET və ya GAA kimi müasir texnologiyalarla müqayisədə əhəmiyyətli üstünlüklərə malikdir. Tədqiqatçıların fikrincə, yeni tranzistorlar, sadə quruluşu və son dərəcə dar qapı eni sayəsində parazitar tutumunu minimuma endirir və nəticədə daha stabil işləyir. Tədqiqat qrupunun rəhbəri JO Moon-Ho, 1D MTB əsaslı tranzistorun gələcəkdə aşağı güclü və yüksək məhsuldar elektron cihazların inkişafında mühüm texnologiyaya çevriləcəyini bildirir.